数字合金覆盖层对InAs量子点影响开题报告

 2023-04-19 17:56:18

1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)

文 献 综 述一、 前言量子点(quantum dots,qds)是在把激子在三个空间方向上束缚住的半导体纳米结构,也称超晶格或超原子等,自二十世纪九十年代提出以来,受到许多研究者的关注。

而基于量子点的材料,由于拥有着优秀的光学性质以及电学性质,近年来一直是国内外研究人员研究的热点。

三维的载流子限制和类似 delta 的状态密度是量子点具有重要的性质[1]。

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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

问题:本课题所要研究的课题是数字合金盖层对量子点能带结构及载流子动力学特性包括能带结构,应力分布、概率密度分布、带间跃迁能量的影响。

手段:1、通过阅读《固体物理》、《半导体材料》等相关书籍掌握导带,价带,电子,空穴,应力分布,静水应变,双轴应变等相关概念和相互之间的联系,影响关系。

例如:静水应变控制着导带,静水应变强度越底,导带越深,双轴应变支配价带等。

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